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GaNエピウエハ 

製品名 GaNエピウエハ  
一般名等 化合物半導体エピタキシャルウエハ GaN(窒化ガリウム / ガリウムナイトライド) / 有機金属気相成長(Metalorganic Vapor Phase Epitaxy) / MOVPE(MOCVD)法 MOエピウエハ 
CAS番号 25617-97-4 
担当部署 株式会社サイオクス   
連絡先 〒102-0082
東京都千代田区一番町21番地1 一番町東急ビル 伊藤忠プラスチックス株式会社 電材本部 化合物半導体営業部(㈱サイオクス営業窓口)
TEL : 03-6880-1664/FAX : 03-6880-1674
株式会社サイオクスのHP 新しいウィンドウで開きます  
用途
  • 自動車 > その他
  • 家電製品 > DVD/HDDレコーダー
  • 家電製品 > その他
  • IT関連部材 > 電子材料
  • IT関連部材 > 表示材料
  • IT関連部材 > その他