電子デバイス用絶縁材料

高い絶縁性を有する薄膜を大面積均一に塗布可能であり、様々な基板・電極へ高い密着性を有します。熱硬化型と光硬化型を有しており、印刷版によるパターンニングとフォトパターニングをプロセスに合わせてお選びいただけます。

材料の特長

適用例:ボトムゲート素子向け オーバーコート材料

適用例:ボトムゲート素子向け ゲート絶縁層

仕様
  ORG シリーズ (熱硬化型) PGI シリーズ (光硬化型)
塗布方法 スピンコート法(溶液) スピンコート法(溶液)
プロセス条件 硬化条件:150℃~220℃/30分~1時間(窒素雰囲気) i線(365nm);600~1200mJ/cm2
硬化条件:150℃~220℃/30分~1時間(窒素雰囲気)
表面粗さ Ra <1nm Rmax <5nm Ra <1nm Rmax <5nm
リーク電流 1x10-8A/m2 @ 4.8KV/㎝ (t=544nm) 1x10-8A/m2 @ 2.7KV/㎝ (t=400nm)
比誘電率 2.6 ~ 3.8(調整可能) 2.8 ~ 3.8(調整可能)
耐溶剤性 メタルエッチャント(酸性)
有機溶媒(PGMEA、2-ヘプタノン等)
硬化膜:
メタルエッチャント(酸性)
有機溶媒(PGMEA、2-ヘプタノン等)
[2分浸漬における膜べり<1%]
耐熱性 >230℃ >230℃
接触角 47 ~ 95°(調整可能) 47 ~ 95°(調整可能)

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