GaN系の高電子移動度トランジスタ(HEMT)用、あるいは高耐圧ダイオード用エピタキシャル多層膜がMOVPE成長されたウエハです。

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製品情報

一般名等

化合物半導体エピタキシャルウエハ、GaN（窒化ガリウム、ガリウムナイトライド）、有機金属気相成長(Metalorganic Vapor Phase Epitaxy)、MOVPE（MOCVD）法、MOエピウエハ

CAS番号

25617-97-4

用途

• F0000
• G0000
• G0400
• H0000
• H0100
• H0200

担当部署

株式会社サイオクス

連絡先

〒102-0082
東京都千代田区一番町21番地1　一番町東急ビル
伊藤忠プラスチックス株式会社
電材本部　化合物半導体営業部（㈱サイオクス営業窓口）
TEL : 03-6880-1664
FAX : 03-6880-1674
株式会社サイオクスのHP