GaN系の高電子移動度トランジスタ(HEMT)用、あるいは高耐圧ダイオード用エピタキシャル多層膜がMOVPE成長されたウエハです。
製品情報
一般名等
化合物半導体エピタキシャルウエハ、GaN(窒化ガリウム、ガリウムナイトライド)、有機金属気相成長(Metalorganic Vapor Phase Epitaxy)、MOVPE(MOCVD)法、MOエピウエハ
CAS番号
25617-97-4
用途
- F0000
- G0000
- G0400
- H0000
- H0100
- H0200
担当部署
株式会社サイオクス
連絡先
〒102-0082
東京都千代田区一番町21番地1 一番町東急ビル
伊藤忠プラスチックス株式会社
電材本部 化合物半導体営業部(㈱サイオクス営業窓口)
TEL : 03-6880-1664
FAX : 03-6880-1674
株式会社サイオクスのHP