GaNエピウエハ

GaN系の高電子移動度トランジスタ(HEMT)用、あるいは高耐圧ダイオード用エピタキシャル多層膜がMOVPE成長されたウエハです。

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製品情報

一般名等

化合物半導体エピタキシャルウエハ、GaN(窒化ガリウム、ガリウムナイトライド)、有機金属気相成長(Metalorganic Vapor Phase Epitaxy)、MOVPE(MOCVD)法、MOエピウエハ

CAS番号

25617-97-4

用途

  • F0000
  • G0000
  • G0400
  • H0000
  • H0100
  • H0200

担当部署

株式会社サイオクス

連絡先

〒102-0082
東京都千代田区一番町21番地1 一番町東急ビル
伊藤忠プラスチックス株式会社
電材本部 化合物半導体営業部(㈱サイオクス営業窓口)
TEL : 03-6880-1664
FAX : 03-6880-1674
株式会社サイオクスのHP